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《真空工程技术》一书,29页：“当用具有一定能量或速度的电子（或离子等其他粒子）轰击金属等物质时,也会引起电子从这些物体中发射出来,这种物理现象称为二次电子发射。被发射出的电子叫做二次电子,而引起二次电子出现的入射粒子叫做原粒子。”“如果在真空中用电子轰击金属表面,那么会发现从金属上发射出的反电流（二次电子）。在一次电子能量足够大的情况下,与一次电子到达这一表面的同时,从被轰击面上发出的二次电子数可以达到一个相当大的数值。”“对于相同的二次电子阴极材料和相同的一次电子能量,二次电子数和一次电子数成正比。σ=n2/n1，式中，σ为二次电子发射系数。它表示一个一次电子所产生的二次电子数。”“二次发射系数取决于一次电子的能量。随着一次电子能量增大,σ很快上升。在一次电子的能量约为400～800eV时达到极大值。继续增加一次电子的能量,则发生了σ的下降。在一次电子的能量很大时,σ重新降为较小的数值。金属的发射系数极大值不大，大约在1～1.4的范围内。”
仅供参考
背散射电子像的衬度要比二次电子像的衬度大,二次电子一般用于形貌分析,背散射电子一般用于区别不同的相.
二次电子像：
1）凸出的尖棱,小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多,在荧光屏上这部分的亮度较大.
2）平面上的二次电子产额较小,亮度较低.
3）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子,使其不易被控制到,因此相应衬度也较暗.
背散射电子像：
1）用背散射电子进行形貌分析时,其分辨率远比二次电子像低.
2）背散射电子能量高,以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影,因此,其图象衬度很强,衬度太大会失去细节的层次,不利于分析.因此,背散射电子形貌分析效果远不及二次电子,故一般不用背散射电子信号.
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